盛夏已過，初秋開場

十一月的高溫高壓仍舊已簽不散生活方式也免不上被煩雜的作業獻祭

高壓力大公率(6500V/3000A)IGBT測評難？伴如今創業項目所需急、任務卡重、規范要求高建筑技術工程師們負壓山大...

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1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

往往SiC與Si功能的各個，SiC MOSFET的域值端電阻都具有忽上忽下定義，在電子元件各種檢測具體步驟中域值端電阻很有可能明顯的漂移，產生其電耐腐蝕性各種檢測同時高溫度柵偏應力試驗后的電各種檢測成果較為嚴重依賴性于各種檢測前提。往往域值端電阻的準確度各種檢測，暫行靠譜性各種檢測的方式有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通內阻 RDSon為影響力電子元器件的工作時導通損耗量的一注重優點基本參數，其平均值會隨 VGS 已經T的影響而變動。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護好就可以將交流電壓還直流電控制在SOA區域內，以免電子元器件受損或炸管。

測試圖片條件：800V 恒壓 10μA 限流

測式條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）瞬時電流的檢測線路將不斷提高導通線電壓精確測量精度等級；? SOCKET與PIN碰到電容、測試測試引線導通電容。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，直流電正弦波形振動；? 高壓線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 平常同軸電覽的等效電感與DUT串聯，SMU檢驗時升高及其相對穩定時長；? 三同軸電纜電線等效電容（電容器）可以說為0。

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