国产精品一区视频-国产午夜亚洲精品午夜鲁丝片-国产免费一区视频观看免费-国产一区二区在线观看视频_PMST功率器件静态参数测试系统_3500V 2000A_车规IGBT测试_IGBT导通电阻测试-武汉普赛斯仪表有限公司-普赛斯仪表国产化高精度数字源表_IGBT测试系统_高电流脉冲电源_高电压源

PMST功率器件靜態參數測試系統

34176

普賽斯PMST電機耗油率配件外部數據試驗控制系統，集多重預估和講解功能鍵一體機，會準確預估有差異裝封品類電機耗油率配件（MOSFET、BJT、IGBT等）的外部數據，具備著高電壓值和大直流電值結構特征、μΩ級精確度高預估、nA級直流電值預估意識等結構特征。能夠高壓電策略下預估電機耗油率配件結電容器（電容器器）（電容器（電容器器）器）（電容器（電容器器）（電容器（電容器器）器）器），如顯示電容器（電容器器）（電容器（電容器器）器）（電容器（電容器器）（電容器（電容器器）器）器）、打印輸出電容器（電容器器）（電容器（電容器器）器）（電容器（電容器器）（電容器（電容器器）器）器）、方向網絡傳輸電容器（電容器器）（電容器（電容器器）器）（電容器（電容器器）（電容器（電容器器）器）器）等。普賽斯PMST輸出電子器材動態主要參數公測軟件手機配置有各種各樣衡量單元考試功能電源控制器，功能電源板塊化的裝修設計公測工藝靈活機動，才能很大程度非常方便移動用戶含有或提升等級衡量功能電源控制器，適用于衡量輸出電子器材反復轉變的消費需求。

產品特點

● 高電壓達3500V(最(zui)大擴展至12kV)

● 大(da)電流達6000A(多模(mo)塊并聯)

● nA級漏電流μΩ級導通電阻

● 高(gao)精(jing)度測量0.1%

● 模塊化配置，可添(tian)加或升級測量單元，可提高IV、CV、跨(kua)導(dao)等高的功能(neng)的綜合測試方法

● 測試(shi)效率高，自動(dong)切換、一鍵測試(shi)

● 溫(wen)(wen)度范圍廣，支(zhi)持(chi)常溫(wen)(wen)、高(gao)溫(wen)(wen)測試(shi)

● 兼容多種封裝，根據測(ce)試需(xu)求(qiu)定制夾具

測試項目

● 二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

● 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

● Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸(shu)入電(dian)容(rong)Ciss/Cies、輸(shu)出電(dian)容(rong)Coss/Coes、反(fan)向傳輸(shu)電(dian)容(rong)Crss/Cres、跨導gfs、輸(shu)出特(te)性曲(qu)線、轉移特(te)性曲(qu)線、C-V特(te)性曲(qu)線

● 光耦(ou)(四端口以(yi)下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容(rong)CT、輸出電容(rong)CCE、電流傳輸比CTR、隔離電容(rong)CIO

系統優勢

1、IGBT等大功率器(qi)(qi)件(jian)由于其功率特(te)點極易產生大量熱(re)量，施加應(ying)力時(shi)間長(chang)，溫度迅速上(shang)升，嚴重時(shi)會使器(qi)(qi)件(jian)損壞(huai)，且不符(fu)合器(qi)(qi)件(jian)工作(zuo)特(te)性。普賽斯(si)髙壓電源(yuan)模塊(kuai)開發的(de)時(shi)刻(ke)大于5ms，在(zai)測試英(ying)文整個過程中是(shi)可以限制待測物加電時(shi)刻(ke)的(de)發高燒。

0534b6dcb2bd9b6d8e9edd933440f81e_640_wx_fmt=png&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1.png

2、壓(ya)力下漏電流(liu)(liu)的(de)測(ce)試英(ying)文方法效(xiao)率(lv)無可(ke)取代，測(ce)試英(ying)文方法合(he)并率(lv)相較(jiao)于(yu)國際金項目。市面(mian)上絕大(da)(da)多數器(qi)件的(de)規(gui)格書顯示，小模塊(kuai)(kuai)在高溫測(ce)試時(shi)漏電流(liu)(liu)一般大(da)(da)于(yu)5mA，而車規(gui)級(ji)三相半橋高溫下漏電大(da)(da)于(yu)50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(gui)格書為(wei)例(li)：3300V，125℃測(ce)試條件下ICES典型值14mA，最大(da)(da)40mA。普賽斯靜態系統高壓(ya)模塊(kuai)(kuai)測(ce)試幾乎可(ke)以完美(mei)應對所有類型器(qi)件的(de)漏電流(liu)(liu)測(ce)試需求。

3、還有，VCE(sat)各種測試是表現 IGBT 導通輸出功率的核心參數設置，對打開輸出功率同樣有必須的的影響。要有操作快速窄電脈沖造成的功率源，電脈沖造成的提高沿網絡速度要足以快時才能夠降低電子元器件起熱，的同時設施設備要有有同歩采集電阻性能。

IGBT外部檢(jian)測(ce)平(ping)臺大直流(liu)電壓(ya)板(ban)塊：50us—500us 的可控直流(liu)電壓(ya)脈寬，增長邊沿(yan)在 15us(非常(chang)典(dian)型值)，變少待測(ce)物在檢(jian)測(ce)時中的發燙，使檢(jian)測(ce)導(dao)致(zhi)十分準確的。下(xia)圖為 1000A 波形：

133d7dc390bb8fed79cea4166baecbe0_640_wx_fmt=png&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1.png

4、更(geng)快(kuai)的(de)遲(chi)鈍的(de)客制(zhi)化治具緩解實施方(fang)案(an)(an)：強大的(de)測(ce)試(shi)夾(jia)(jia)(jia)具解決方(fang)案(an)(an)對于(yu)保證操作人員安(an)全和(he)支持各(ge)種(zhong)(zhong)功率(lv)器件封裝(zhuang)類(lei)型極為重要。不(bu)論器件的(de)大小或形(xing)狀如何，普賽斯均可以快(kuai)速響應用戶需(xu)求，提供靈活的(de)客制(zhi)化夾(jia)(jia)(jia)具方(fang)案(an)(an)。夾(jia)(jia)(jia)具具有低阻抗(kang)、安(an)裝(zhuang)簡單(dan)(dan)、種(zhong)(zhong)類(lei)豐(feng)富等(deng)特點，可用于(yu)二(er)極管(guan)(guan)、三極管(guan)(guan)、場效(xiao)應晶(jing)體管(guan)(guan)、IGBT、SiC MOS、GaN等(deng)單(dan)(dan)管(guan)(guan)，模組類(lei)產品的(de)測(ce)試(shi)。

產品選型

項目	最大電壓	最大電流	精度	漏電流測試量程
集電級-發射成功極	3500V	6000A	0.1%	1μA-100mA

項目	最大電壓	最大電流	精度	最小電流量程
柵極-發送極	300V	1A(交流電)/10A(脈沖發生器)	0.1%	10nA

項目	基本測試精度	頻率范圍	電容值范圍
濾波電容測評	0.05%	0.05%	0.01pF-9.9999F

PMST電機功率電子器件外部系統軟件有所差異樣式調試型號符合：

型號	大電流源測單元規格	大電流源測單元數量	高壓源測單元規格	高壓源測單元數量	最大電壓/電流
PMST1203	300A/30V	1	1200V/100mA	1	1200V/300A
PMST1210	1000A/18V	1	1200V/100mA	1	1200V/1000A
PMST2210	1000A/18V	1	2200V/100mA	1	2200V/1000A
PMST3510	1000A/18V	1	3500V/100mA	1	3500V/1000A
PMST3520	1000A/18V	2	3500V/100mA	1	3500V/2000A
PMST8030	1000A/18V	3	8000V/100mA	1	8000V/3000A