前言

        2020年，中國性半導元器文化房產群結局陸續高增速，始于設定時間。與此成型比對，在新燃料客車、太陽能發電、儲蓄能量等消費需求帶來下，第四代半導元器文化房產群保持著迅速的路發展前景，中國性化提供鏈采集采集體系現在成型，之間的惡性競爭大格局急劇擬定，文化房產群踏進迅速的我的成長期。而我國國內第四代半導元器文化房產群經途之前生產量推進和產線網站建設，國產品牌圖片第四代半導元器產品隨后開發設計成功創業并實現認證，技術水平穩中有進加強，生產量持續解放，國產品牌圖片增碳硅(SiC）元器及包塊始于“上機”，生態環境采集采集體系急劇健全完善，數字化可以操控的效率持續促進，整體風格之間的惡性競爭實力逐步加強。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《20223代半導體設備芯片設備芯片工業發展方向市面研究報告》現示，2020年在我國的3代半導體設備芯片設備芯片功效光電子元器件和徽波rf徽波rf射頻兩人域滿足總年產量141.7萬億，較202一年上漲11.7%，生生生產能力力力不停的產生。在這當中，SiC生生生產能力力力上漲上漲，GaN生生生產能力力力上漲超30%，更改加盟擴產預計較202一年相比上漲36.7%。此外，跟隨電動四輪機動車市面很快上漲，光伏系統、微電網標準驅動，2020年在我國的3代半導體設備芯片設備芯片功效光電子元器件和徽波rf徽波rf射頻市面總總量達標194.2萬億，較202一年上漲34.5%。在這當中，功效半導體設備芯片設備芯片市面不超105.5萬億，徽波rf徽波rf射頻市面約88.6萬億。

        不斷，202五年將是再次代光電器件異軍突起的3年，市廠將見證人一“水平更快提高 、產業發展更快漲幅、整體空間格局大控牌”的“西漢當代”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        不但，第三點代寬禁帶半導體行業素材素材的實驗也進行著LED照明電器燈財產的逐漸不斷發展，從Mini-LED到Micro-LED，維持危害半導體行業素材照明電器燈財產，同時在大輸出激光行業器、紫外光消菌/偵測領域充分利用關鍵要的反應。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        近些年，工作工率半導體芯片技術芯片材料電子元電子元元元電子電功率器材封裝貿易市場顯出現出一體化化和版塊化、高效能和高是真的嗎性、多電平的技術、輕型電子元電子元元元電子電功率器材封裝結構類型和工序、自動化化和可重新構建等未來發展前景現象和未來發展前景走向。工作工率半導體芯片技術芯片材料電子元電子元元元電子電功率器材封裝身為應用于嚴格壞境下的高工作工率孔隙率電子元電子元元元電子電功率器材封裝，對電子元電子元元元電子電功率器材封裝是真的嗎性耍求置于大多數半導體芯片技術芯片材料電子元電子元元元電子電功率器材封裝的靠前。這樣，對電子元電子元元元電子電功率器材封裝精準脫貧的效能測試英文儀耍求、包含用到景象的是真的嗎性測試英文儀經濟條件及及明確的不可用介紹模式將有效的的提高自己工作工率半導體芯片技術芯片材料電子元電子元元元電子電功率器材封裝護膚品的效能及是真的嗎性突出表現。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 比率廣，高至300V低至1pA- 面積最小脈沖信號間距200μs- 合理度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺主要3500V電流電壓效果(可優化10kV)- 測量方法直流電壓低至1nA- 為準度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 打出電壓電流達1000A- 兩部并接電動車續航6000A- 50μs-500μs的脈沖造成的大小可調節- 脈沖激光邊沿陡(主要時間15us)- 兩路口關聯測量工作電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 整流/輸入脈沖幾種額定電壓所在的模式- 大輸入脈沖交流電，是最高的可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式構思，1CH/插卡，較高使用10節點

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*地方全部圖片來源于：公示材料歸置

*要素姿料來源：全球然后產業群時報《中國國家然后代半導體技術產業群整體來說進去升級期》郭錦輝

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