晶體管是在有塊半導芯片基片上制造幾個相差靠近的PN結，幾個PN結把整面半導芯片分解成二有些，里面有些是基區，下邊有些是試射區和集電區。晶體管極具電壓功率值擴大效果，或許質是以基極電壓功率值肺部結節影的轉變量來有效控制集探針電壓功率值明顯的轉變量。

三級管設計構思三極管中重視的主要參數有相電壓電壓大小增加指數計算公式、倒置熱擊穿相電壓、極間倒置相電壓電壓大小或是導入讀取性能等，這之中相電壓電壓大小增加指數計算公式一般性由計算公式計算總結。測試方法操作到的專用設備是2臺普賽斯S系例高精密度臺型源表，能否依據元器的相電壓電壓大小相電壓規格為來選定不一樣量限的源表

【測試操作指導】